SI9407BDY-T1-GE3
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SI4900DY-T1-E3

N.º de producto de DigiKey
SI4900DY-T1-E3TR-ND - Cinta y rollo (TR)
SI4900DY-T1-E3CT-ND - Cinta cortada (CT)
SI4900DY-T1-E3DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante
Vishay Siliconix
Número de pieza del fabricante
SI4900DY-T1-E3
Descripción
MOSFET 2N-CH 60V 5.3A 8SOIC
Referencia del cliente
Descripción detallada
MOSFET - Arreglos 60V 5.3A 3.1W Montaje en superficie 8-SOIC
Hoja de datos
 Hoja de datos
Modelos EDA/CAD
SI4900DY-T1-E3 Modelos
Atributos del producto
Tipo
Descripción
Seleccionar todo
Categoría
Fabricante
Vishay Siliconix
Serie
TrenchFET®
Embalaje
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Estado de pieza
Obsoleto
Tecnología
MOSFET (óxido de metal)
Configuración
Dos canal N (doble)
Característica de FET
Compuerta de nivel lógico
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
60V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC
5.3A
Rds On (máx) @ Id, Vgs
58mOhm a 4.3A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id
3V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs
20nC a 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
665pF a 15V
Potencia - Máx.
3.1W
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Montaje en superficie
Paquete / Caja (carcasa)
8-SOIC (0.154", 3.90mm de ancho)
Paquete del dispositivo del proveedor
8-SOIC
Número de producto base
SI4900
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Cantidad
Todos los precios se expresan en EUR
Cinta cortada (CT)
Cantidad Precio por unidad Precio ext.
11,55000 €1,55 €
100,98200 €9,82 €
1000,65920 €65,92 €
Precio unitario sin IVA:1,55000 €
Precio unitario con IVA:1,87550 €