Name: SI4816BDY-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI4816BDY-T1-GE3TR-ND
Price: 2.6015 EUR
Availability: InStock

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SI4816BDY-T1-GE3
N.º de producto de DigiKey	SI4816BDY-T1-GE3TR-ND - Cinta y rollo (TR) SI4816BDY-T1-GE3CT-ND - Cinta cortada (CT) SI4816BDY-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Vishay Siliconix
Número de pieza del fabricante	SI4816BDY-T1-GE3
Descripción	MOSFET 2N-CH 30V 5.8A/8.2A 8SOIC
Plazo estándar del fabricante	38 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	MOSFET - Arreglos 30V 5.8 A, 8.2 A 1W, 1.25W Montaje en superficie 8-SOIC
Hoja de datos	Hoja de datos

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Categoría Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET Arreglos FET, MOSFET	Rds On (máx) @ Id, Vgs 18.5mOhm a 6.8A, 10V
Fabricante Vishay Siliconix	Vgs(th) (máx) a Id 3V a 250µA
Serie LITTLE FOOT®	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 10nC a 5V
Embalaje Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Potencia - Máx. 1W, 1.25W
Estado de pieza Activo	Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tecnología MOSFET (óxido de metal)	Tipo de montaje Montaje en superficie
Configuración 2 canales N (medio puente)	Paquete / Caja (carcasa) 8-SOIC (0.154", 3.90mm de ancho)
Característica de FET Compuerta de nivel lógico	Paquete del dispositivo del proveedor 8-SOIC
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 30V	Número de producto base SI4816
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 5.8 A, 8.2 A