Name: SI4532CDY-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI4532CDY-T1-GE3TR-ND
Price: 1.1737 EUR
Availability: InStock

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SI4532CDY-T1-GE3
N.º de producto de DigiKey	SI4532CDY-T1-GE3TR-ND - Cinta y rollo (TR) SI4532CDY-T1-GE3CT-ND - Cinta cortada (CT) SI4532CDY-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Vishay Siliconix
Número de pieza del fabricante	SI4532CDY-T1-GE3
Descripción	MOSFET N/P-CH 30V 6A/4.3A 8SOIC
Plazo estándar del fabricante	38 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	MOSFET - Arreglos 30V 6 A, 4.3 A 2.78W Montaje en superficie 8-SOIC
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	SI4532CDY-T1-GE3 Modelos

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Categoría Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET Arreglos FET, MOSFET	Vgs(th) (máx) a Id 3V a 250µA
Fabricante Vishay Siliconix	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 9nC a 10V
Serie TrenchFET®	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 305pF a 15V
Embalaje Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Potencia - Máx. 2.78W
Estado de pieza Activo	Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tecnología MOSFET (óxido de metal)	Tipo de montaje Montaje en superficie
Configuración Canal N y P	Paquete / Caja (carcasa) 8-SOIC (0.154", 3.90mm de ancho)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 30V	Paquete del dispositivo del proveedor 8-SOIC
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 6 A, 4.3 A	Número de producto base SI4532
Rds On (máx) @ Id, Vgs 47mOhm a 3.5A, 10V