Canal P Montaje en superficie 30 V 17.3A (Ta) 3.1W (Ta), 6.9W (Tc) 8-SOIC
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SI4491EDY-T1-GE3

N.º de producto de DigiKey
SI4491EDY-T1-GE3TR-ND - Cinta y rollo (TR)
SI4491EDY-T1-GE3CT-ND - Cinta cortada (CT)
SI4491EDY-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante
Vishay Siliconix
Número de pieza del fabricante
SI4491EDY-T1-GE3
Descripción
MOSFET P-CH 30V 17.3A 8SO
Plazo estándar del fabricante
49 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada
Canal P Montaje en superficie 30 V 17.3A (Ta) 3.1W (Ta), 6.9W (Tc) 8-SOIC
Hoja de datos
 Hoja de datos
Atributos del producto
Tipo
Descripción
Seleccionar todo
Categoría
Fabricante
Vishay Siliconix
Serie
TrenchFET®
Embalaje
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Estado de pieza
Activo
Tipo FET
Canal P
Tecnología
MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
30 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC
17.3A (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)
4.5V, 10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs
6.5mOhm a 13A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id
2.8V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs
153 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±25V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
4620 pF @ 15 V
Característica de FET
-
Disipación de potencia (Máx.)
3.1W (Ta), 6.9W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado
-
Calificación
-
Tipo de montaje
Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor
8-SOIC
Paquete / Caja (carcasa)
8-SOIC (0.154", 3.90mm de ancho)
Número de producto base
SI4491
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Cantidad
Todos los precios se expresan en EUR
Cinta cortada (CT) & Digi-Reel®
Cantidad Precio por unidad Precio ext.
11,28000 €1,28 €
100,80700 €8,07 €
1000,53660 €53,66 €
5000,42068 €210,34 €
1.0000,38336 €383,36 €
*Todos los pedidos de Digi-Reel añadirán una cuota de carrete de 5,50 €.
Cinta y rollo (TR)
Cantidad Precio por unidad Precio ext.
2.5000,34296 €857,40 €
5.0000,31799 €1.589,95 €
7.5000,30527 €2.289,53 €
12.5000,29970 €3.746,25 €
Paquete estándar del fabricante
Precio unitario sin IVA:1,28000 €
Precio unitario con IVA:1,54880 €
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