Name: SI4477DY-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI4477DY-T1-GE3TR-ND
Price: 2.2022 EUR
Availability: InStock

Foto demostrada es una representación solamente. Datos específicos deben se obtener de las hojas de datos del producto.

SI4477DY-T1-GE3
N.º de producto de DigiKey	SI4477DY-T1-GE3TR-ND - Cinta y rollo (TR) SI4477DY-T1-GE3CT-ND - Cinta cortada (CT) SI4477DY-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Vishay Siliconix
Número de pieza del fabricante	SI4477DY-T1-GE3
Descripción	MOSFET P-CH 20V 26.6A 8SO
Plazo estándar del fabricante	38 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal P Montaje en superficie 20 V 26.6A (Tc) 3W (Ta), 6.6W (Tc) 8-SOIC
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	SI4477DY-T1-GE3 Modelos

Atributos del producto

Filtrar productos similares

Mostrar atributos vacíos

Categoría Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET	Vgs(th) (máx) a Id 1.5V a 250µA
Fabricante Vishay Siliconix	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 190 nC @ 10 V
Serie TrenchFET®	Vgs (máx.) ±12V
Embalaje Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 4600 pF @ 10 V
Estado de pieza Activo	Disipación de potencia (Máx.) 3W (Ta), 6.6W (Tc)
Tipo FET Canal P	Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tecnología MOSFET (óxido de metal)	Tipo de montaje Montaje en superficie
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 20 V	Paquete del dispositivo del proveedor 8-SOIC
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 26.6A (Tc)	Paquete / Caja (carcasa) 8-SOIC (0.154", 3.90mm de ancho)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 2.5V, 4.5V	Número de producto base SI4477
Rds On (máx) @ Id, Vgs 6.2mOhm a 18A, 4.5V