Name: SI4434ADY-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI4434ADY-T1-GE3TR-ND
Price: 3.0613 EUR
Availability: InStock

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SI4434ADY-T1-GE3
N.º de producto de DigiKey	SI4434ADY-T1-GE3TR-ND - Cinta y rollo (TR) SI4434ADY-T1-GE3CT-ND - Cinta cortada (CT) SI4434ADY-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Vishay Siliconix
Número de pieza del fabricante	SI4434ADY-T1-GE3
Descripción	MOSFET N-CH 250V 2.8A/4.1A 8SO
Plazo estándar del fabricante	42 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 250 V 2.8A (Ta), 4.1A (Tc) 2.9W (Ta), 6W (Tc) 8-SO
Hoja de datos	Hoja de datos

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Categoría Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET	Vgs(th) (máx) a Id 4V a 250µA
Fabricante Vishay Siliconix	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 16.5 nC @ 10 V
Serie ThunderFET®	Vgs (máx.) ±20V
Embalaje Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 600 pF @ 125 V
Estado de pieza Activo	Disipación de potencia (Máx.) 2.9W (Ta), 6W (Tc)
Tipo FET Canal N	Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tecnología MOSFET (óxido de metal)	Tipo de montaje Montaje en superficie
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 250 V	Paquete del dispositivo del proveedor 8-SO
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 2.8A (Ta), 4.1A (Tc)	Paquete / Caja (carcasa) 8-SOIC (0.154", 3.90mm de ancho)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 7.5V, 10V	Número de producto base SI4434
Rds On (máx) @ Id, Vgs 150mOhm a 2.8A, 10V