Name: SI4425FDY-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI4425FDY-T1-GE3TR-ND
Price: 1.2826 EUR
Availability: InStock

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SI4425FDY-T1-GE3
N.º de producto de DigiKey	SI4425FDY-T1-GE3TR-ND - Cinta y rollo (TR) SI4425FDY-T1-GE3CT-ND - Cinta cortada (CT) SI4425FDY-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Vishay Siliconix
Número de pieza del fabricante	SI4425FDY-T1-GE3
Descripción	MOSFET P-CH 30V 12.7/18.3A 8SOIC
Plazo estándar del fabricante	55 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal P Montaje en superficie 30 V 12.7A (Ta), 18.3A (Tc) 2.3W (Ta), 4.8W (Tc) 8-SOIC
Hoja de datos	Hoja de datos

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Categoría Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET	Vgs(th) (máx) a Id 2.2V a 250µA
Fabricante Vishay Siliconix	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 41 nC @ 10 V
Serie TrenchFET® Gen IV	Vgs (máx.) +16V, -20V
Embalaje Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 1620 pF @ 15 V
Estado de pieza Activo	Disipación de potencia (Máx.) 2.3W (Ta), 4.8W (Tc)
Tipo FET Canal P	Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tecnología MOSFET (óxido de metal)	Tipo de montaje Montaje en superficie
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 30 V	Paquete del dispositivo del proveedor 8-SOIC
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 12.7A (Ta), 18.3A (Tc)	Paquete / Caja (carcasa) 8-SOIC (0.154", 3.90mm de ancho)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 4.5V, 10V	Número de producto base SI4425
Rds On (máx) @ Id, Vgs 9.5mOhm a 10A, 10V

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