
SI4214DDY-T1-GE3 | |
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N.º de producto de DigiKey | SI4214DDY-T1-GE3TR-ND - Cinta y rollo (TR) SI4214DDY-T1-GE3CT-ND - Cinta cortada (CT) SI4214DDY-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Fabricante | |
Número de pieza del fabricante | SI4214DDY-T1-GE3 |
Descripción | MOSFET 2N-CH 30V 8.5A 8SOIC |
Plazo estándar del fabricante | 19 semanas |
Referencia del cliente | |
Descripción detallada | MOSFET - Arreglos 30V 8.5A 3.1W Montaje en superficie 8-SOIC |
Hoja de datos | Hoja de datos |
Modelos EDA/CAD | SI4214DDY-T1-GE3 Modelos |
Tipo | Descripción | Seleccionar todo |
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Categoría | ||
Fabricante | Vishay Siliconix | |
Serie | ||
Embalaje | Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel® | |
Estado de pieza | Activo | |
Tecnología | MOSFET (óxido de metal) | |
Configuración | Dos canal N (doble) | |
Característica de FET | Compuerta de nivel lógico | |
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 30V | |
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC | 8.5A | |
Rds On (máx) @ Id, Vgs | 19.5mOhm a 8A, 10V | |
Vgs(th) (máx) a Id | 2.5V a 250µA | |
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs | 22nC a 10V | |
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds | 660pF a 15V | |
Potencia - Máx. | 3.1W | |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Tipo de montaje | Montaje en superficie | |
Paquete / Caja (carcasa) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm de ancho) | |
Paquete del dispositivo del proveedor | 8-SOIC | |
Número de producto base |
Cantidad | Precio por unidad | Precio ext. |
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1 | 0,77000 € | 0,77 € |
10 | 0,53100 € | 5,31 € |
100 | 0,36310 € | 36,31 € |
500 | 0,28852 € | 144,26 € |
1.000 | 0,26117 € | 261,17 € |
Cantidad | Precio por unidad | Precio ext. |
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2.500 | 0,23286 € | 582,15 € |
5.000 | 0,21324 € | 1.066,20 € |
7.500 | 0,20387 € | 1.529,02 € |
12.500 | 0,19344 € | 2.418,00 € |
17.500 | 0,18764 € | 3.283,70 € |
Precio unitario sin IVA: | 0,77000 € |
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Precio unitario con IVA: | 0,93170 € |