
SI4153DY-T1-GE3 | |
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N.º de producto de DigiKey | 742-SI4153DY-T1-GE3TR-ND - Cinta y rollo (TR) 742-SI4153DY-T1-GE3CT-ND - Cinta cortada (CT) 742-SI4153DY-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Fabricante | |
Número de pieza del fabricante | SI4153DY-T1-GE3 |
Descripción | P-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET SO-8 |
Plazo estándar del fabricante | 22 semanas |
Referencia del cliente | |
Descripción detallada | Canal P Montaje en superficie 30 V 14.3A (Ta), 19.3A (Tc) 3.1W (Ta), 5.6W (Tc) 8-SOIC |
Hoja de datos | Hoja de datos |
Modelos EDA/CAD | SI4153DY-T1-GE3 Modelos |
Categoría | Rds On (máx) @ Id, Vgs 9.5mOhm a 10A, 10V |
Fabricante | Vgs(th) (máx) a Id 2.5V a 250µA |
Serie | Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 93 nC @ 10 V |
Embalaje Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel® | Vgs (máx.) ±25V |
Estado de pieza Activo | Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 3600 pF @ 15 V |
Tipo FET | Disipación de potencia (Máx.) 3.1W (Ta), 5.6W (Tc) |
Tecnología | Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ) |
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 30 V | Tipo de montaje Montaje en superficie |
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC | Paquete del dispositivo del proveedor 8-SOIC |
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 4.5V, 10V | Paquete / Caja (carcasa) |
| Cantidad | Precio por unidad | Precio ext. |
|---|---|---|
| 1 | 1,06000 € | 1,06 € |
| 10 | 0,66600 € | 6,66 € |
| 100 | 0,43780 € | 43,78 € |
| 500 | 0,33960 € | 169,80 € |
| 1.000 | 0,30798 € | 307,98 € |
| Cantidad | Precio por unidad | Precio ext. |
|---|---|---|
| 2.500 | 0,27374 € | 684,35 € |
| 5.000 | 0,25257 € | 1.262,85 € |
| 7.500 | 0,24178 € | 1.813,35 € |
| 12.500 | 0,22967 € | 2.870,88 € |
| 17.500 | 0,22250 € | 3.893,75 € |
| 25.000 | 0,21553 € | 5.388,25 € |
| Precio unitario sin IVA: | 1,06000 € |
|---|---|
| Precio unitario con IVA: | 1,28260 € |




