Name: SI3585CDV-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI3585CDV-T1-GE3TR-ND
Price: 0.8954 EUR
Availability: InStock

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SI3585CDV-T1-GE3
N.º de producto de DigiKey	SI3585CDV-T1-GE3TR-ND - Cinta y rollo (TR) SI3585CDV-T1-GE3CT-ND - Cinta cortada (CT) SI3585CDV-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Vishay Siliconix
Número de pieza del fabricante	SI3585CDV-T1-GE3
Descripción	MOSFET N/P-CH 20V 3.9A 6TSOP
Plazo estándar del fabricante	38 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	MOSFET - Arreglos 20V 3.9 A, 2.1 A 1.4W, 1.3W Montaje en superficie 6-TSOP
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	SI3585CDV-T1-GE3 Modelos

Atributos del producto

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Categoría Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET Arreglos FET, MOSFET	Rds On (máx) @ Id, Vgs 58mOhm a 2.5A, 4.5V
Fabricante Vishay Siliconix	Vgs(th) (máx) a Id 1.5V a 250µA
Serie TrenchFET®	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 4.8nC a 10V
Embalaje Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 150pF a 10V
Estado de pieza Activo	Potencia - Máx. 1.4W, 1.3W
Tecnología MOSFET (óxido de metal)	Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuración Canal N y P	Tipo de montaje Montaje en superficie
Característica de FET Compuerta de nivel lógico	Paquete / Caja (carcasa) SOT-23-6 delgado, TSOT-23-6
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 20V	Paquete del dispositivo del proveedor 6-TSOP
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 3.9 A, 2.1 A	Número de producto base SI3585

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Documentos y medios

Clasificaciones medioambientales y de exportación

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Cinta y rollo (TR)