Name: SI3464DV-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI3464DV-T1-GE3TR-ND
Price: 0.9801 EUR
Availability: InStock

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SI3464DV-T1-GE3
N.º de producto de DigiKey	SI3464DV-T1-GE3TR-ND - Cinta y rollo (TR) SI3464DV-T1-GE3CT-ND - Cinta cortada (CT) SI3464DV-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Vishay Siliconix
Número de pieza del fabricante	SI3464DV-T1-GE3
Descripción	MOSFET N-CH 20V 8A 6TSOP
Plazo estándar del fabricante	17 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 20 V 8A (Tc) 2W (Ta), 3.6W (Tc) 6-TSOP
Hoja de datos	Hoja de datos

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Categoría Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET	Vgs(th) (máx) a Id 1V a 250µA
Fabricante Vishay Siliconix	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 18 nC @ 5 V
Serie TrenchFET®	Vgs (máx.) ±8V
Embalaje Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 1065 pF @ 10 V
Estado de pieza Activo	Disipación de potencia (Máx.) 2W (Ta), 3.6W (Tc)
Tipo FET Canal N	Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tecnología MOSFET (óxido de metal)	Tipo de montaje Montaje en superficie
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 20 V	Paquete del dispositivo del proveedor 6-TSOP
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 8A (Tc)	Paquete / Caja (carcasa) SOT-23-6 delgado, TSOT-23-6
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 1.8V, 4.5V	Número de producto base SI3464
Rds On (máx) @ Id, Vgs 24mOhm a 7.5A, 4.5V

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Documentos y medios

Clasificaciones medioambientales y de exportación

Recursos adicionales

Sustitutos (15)

N.° de pieza	Fabricante	Cantidad disponible	N.º de producto de DigiKey	Precio por unidad	Tipo de reemplazo
SI3464DV-T1-BE3	Vishay Siliconix	3.940	742-SI3464DV-T1-BE3CT-ND	292,08000 €	Directo
DMN2028UVT-7	Diodes Incorporated	1.609	DMN2028UVT-7DICT-ND	181,40000 €	Similar
FDC637AN	onsemi	11.679	FDC637ANCT-ND	378,16000 €	Similar
FDC637BNZ	onsemi	12.331	FDC637BNZCT-ND	230,59000 €	Similar
IRLMS2002TRPBF	Infineon Technologies	1.993	IRLMS2002PBFCT-ND	285,93000 €	Similar

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