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SI3460BDV-T1-GE3 es obsoleto y ya no se fabrica.
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SI3460BDV-T1-GE3 | |
|---|---|
N.º de producto de DigiKey | SI3460BDV-T1-GE3TR-ND - Cinta y rollo (TR) SI3460BDV-T1-GE3CT-ND - Cinta cortada (CT) SI3460BDV-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Fabricante | |
Número de pieza del fabricante | SI3460BDV-T1-GE3 |
Descripción | MOSFET N-CH 20V 8A 6TSOP |
Referencia del cliente | |
Descripción detallada | Canal N Montaje en superficie 20 V 8A (Tc) 2W (Ta), 3.5W (Tc) 6-TSOP |
Hoja de datos | Hoja de datos |
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Categoría | Vgs(th) (máx) a Id 1V a 250µA |
Fabricante | Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 24 nC @ 8 V |
Serie | Vgs (máx.) ±8V |
Embalaje Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel® | Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 860 pF @ 10 V |
Estado de pieza Obsoleto | Disipación de potencia (Máx.) 2W (Ta), 3.5W (Tc) |
Tipo FET | Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tecnología | Tipo de montaje Montaje en superficie |
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 20 V | Paquete del dispositivo del proveedor 6-TSOP |
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC | Paquete / Caja (carcasa) |
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 1.8V, 4.5V | Número de producto base |
Rds On (máx) @ Id, Vgs 27mOhm a 5.1A, 4.5V |
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Sustitutos (8)
| N.° de pieza | Fabricante | Cantidad disponible | N.º de producto de DigiKey | Precio por unidad | Tipo de reemplazo |
|---|---|---|---|---|---|
| SI3460BDV-T1-BE3 | Vishay Siliconix | 23 | 742-SI3460BDV-T1-BE3CT-ND | 1,10000 € | Directo |
| DMN2028UVT-7 | Diodes Incorporated | 1.609 | DMN2028UVT-7DICT-ND | 0,50000 € | Similar |
| FDC637AN | onsemi | 11.669 | FDC637ANCT-ND | 1,05000 € | Similar |
| FDC637BNZ | onsemi | 11.176 | FDC637BNZCT-ND | 0,64000 € | Similar |
| IRLMS2002TRPBF | Infineon Technologies | 1.993 | IRLMS2002PBFCT-ND | 0,79000 € | Similar |
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