SI3460BDV-T1-BE3 Vishay Siliconix | FET simple, MOSFET

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SI3460BDV-T1-BE3
N.º de producto de DigiKey	742-SI3460BDV-T1-BE3TR-ND - Cinta y rollo (TR) 742-SI3460BDV-T1-BE3CT-ND - Cinta cortada (CT) 742-SI3460BDV-T1-BE3DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Vishay Siliconix
Número de pieza del fabricante	SI3460BDV-T1-BE3
Descripción	N-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 20 V 6.7A (Ta), 8A (Tc) 2W (Ta), 3.5W (Tc) 6-TSOP
Hoja de datos	Hoja de datos

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Categoría Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET	Vgs(th) (máx) a Id 1V a 250µA
Fabricante Vishay Siliconix	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 24 nC @ 8 V
Embalaje Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Vgs (máx.) ±8V
Estado de pieza Obsoleto	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 860 pF @ 10 V
Tipo FET Canal N	Disipación de potencia (Máx.) 2W (Ta), 3.5W (Tc)
Tecnología MOSFET (óxido de metal)	Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 20 V	Tipo de montaje Montaje en superficie
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 6.7A (Ta), 8A (Tc)	Paquete del dispositivo del proveedor 6-TSOP
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 1.8V, 4.5V	Paquete / Caja (carcasa) SOT-23-6 delgado, TSOT-23-6
Rds On (máx) @ Id, Vgs 27mOhm a 5.1A, 4.5V

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Cantidad

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Cinta cortada (CT)

Cantidad	Precio por unidad	Precio ext.
1	1,18000 €	1,18 €
10	0,74000 €	7,40 €

Digi-Reel®

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Precio unitario sin IVA:	1,10000 €
Precio unitario con IVA:	1,33100 €

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