Name: SI3129DV-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SI3129DV-T1-GE3TR-ND
Price: 1.1011 EUR
Availability: InStock

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SI3129DV-T1-GE3
N.º de producto de DigiKey	742-SI3129DV-T1-GE3TR-ND - Cinta y rollo (TR) 742-SI3129DV-T1-GE3CT-ND - Cinta cortada (CT) 742-SI3129DV-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Vishay Siliconix
Número de pieza del fabricante	SI3129DV-T1-GE3
Descripción	P-CHANNEL 80 V (D-S) MOSFET TSOP
Plazo estándar del fabricante	33 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal P Montaje en superficie 80 V 3.8A (Ta), 5.4A (Tc) 2W (Ta), 4.2W (Tc) 6-TSOP
Hoja de datos	Hoja de datos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Vishay Siliconix
Serie	TrenchFET®
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal P
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	80 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	3.8A (Ta), 5.4A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	4.5V, 10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	82.7mOhm a 3.8A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	2.5V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	18 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	805 pF @ 40 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	2W (Ta), 4.2W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	6-TSOP
Paquete / Caja (carcasa)	SOT-23-6 delgado, TSOT-23-6