Name: SI2374DS-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI2374DS-T1-GE3TR-ND
Price: 0.5203 EUR
Availability: InStock

SI2374DS-T1-GE3
N.º de producto de DigiKey	SI2374DS-T1-GE3TR-ND - Cinta y rollo (TR) SI2374DS-T1-GE3CT-ND - Cinta cortada (CT) SI2374DS-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Vishay Siliconix
Número de pieza del fabricante	SI2374DS-T1-GE3
Descripción	MOSFET N-CH 20V 4.5A/5.9A SOT23
Plazo estándar del fabricante	28 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 20 V 4.5A (Ta), 5.9A (Tc) 960mW (Ta), 1.7W (Tc) SOT-23-3 (TO-236)
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	SI2374DS-T1-GE3 Modelos

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Vishay Siliconix
Serie	TrenchFET®
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	20 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	4.5A (Ta), 5.9A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	1.8V, 4.5V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	30mOhm a 4A, 4.5V
Vgs(th) (máx) a Id	1V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	20 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±8V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	735 pF @ 10 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	960mW (Ta), 1.7W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	SOT-23-3 (TO-236)
Paquete / Caja (carcasa)	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Número de producto base	SI2374

Precio unitario sin IVA:	0,43000 €
Precio unitario con IVA:	0,52030 €

SI2374DS-T1-GE3