Name: SI2366DS-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI2366DS-T1-GE3TR-ND
Price: 0.5808 EUR
Availability: InStock

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SI2366DS-T1-GE3
cms-digikey-product-number	SI2366DS-T1-GE3TR-ND - Cinta y rollo (TR) SI2366DS-T1-GE3CT-ND - Cinta cortada (CT) SI2366DS-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
cms-manufacturer	Vishay Siliconix
cms-manufacturer-product-number	SI2366DS-T1-GE3
cms-description	MOSFET N-CH 30V 5.8A SOT23-3
cms-standard-lead-time	19 semanas
cms-customer-reference
cms-detailed-description	Canal N Montaje en superficie 30 V 5.8A (Tc) 1.25W (Ta), 2.1W (Tc) SOT-23-3 (TO-236)
Hoja de datos	Hoja de datos

cms-type	cms-description	cms-select-all
cms-category	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Vishay Siliconix
Serie	TrenchFET®
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	30 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	5.8A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	36mOhm a 4.5A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	2.5V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	10 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	335 pF @ 15 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	1.25W (Ta), 2.1W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	SOT-23-3 (TO-236)
Paquete / Caja (carcasa)	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Número de producto base	SI2366

Precio unitario sin IVA:	0,48000 €
Precio unitario con IVA:	0,58080 €

SI2366DS-T1-GE3