SI2315BDS-T1-BE3 Vishay Siliconix | FET simple, MOSFET

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SI2315BDS-T1-BE3
N.º de producto de DigiKey	742-SI2315BDS-T1-BE3TR-ND - Cinta y rollo (TR) 742-SI2315BDS-T1-BE3CT-ND - Cinta cortada (CT) 742-SI2315BDS-T1-BE3DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Vishay Siliconix
Número de pieza del fabricante	SI2315BDS-T1-BE3
Descripción	P-CHANNEL 1.8-V (G-S) MOSFET
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal P Montaje en superficie 12 V 3A (Ta) 750mW (Ta) SOT-23-3 (TO-236)
Hoja de datos	Hoja de datos

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Categoría Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET	Vgs(th) (máx) a Id 900mV a 250µA
Fabricante Vishay Siliconix	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 15 nC @ 4.5 V
Embalaje Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Vgs (máx.) ±8V
Estado de pieza Obsoleto	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 715 pF @ 6 V
Tipo FET Canal P	Disipación de potencia (Máx.) 750mW (Ta)
Tecnología MOSFET (óxido de metal)	Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 12 V	Tipo de montaje Montaje en superficie
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 3A (Ta)	Paquete del dispositivo del proveedor SOT-23-3 (TO-236)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 1.8V, 4.5V	Paquete / Caja (carcasa) TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Rds On (máx) @ Id, Vgs 50mOhm a 3.85A, 4.5V

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Documentos y medios

Clasificaciones medioambientales y de exportación

Recursos adicionales

Sustitutos (1)

N.° de pieza	Fabricante	Cantidad disponible	N.º de producto de DigiKey	Precio por unidad	Tipo de reemplazo
SI2333DDS-T1-BE3	Vishay Siliconix	19.747	742-SI2333DDS-T1-BE3CT-ND	0,65000 €	MFR recomendado

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SI2315BDS-T1-BE3