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SI2307BDS-T1-GE3 es obsoleto y ya no se fabrica.
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Foto demostrada es una representación solamente. Datos específicos deben se obtener de las hojas de datos del producto.
SI2307BDS-T1-GE3 | |
|---|---|
N.º de producto de DigiKey | SI2307BDS-T1-GE3TR-ND - Cinta y rollo (TR) SI2307BDS-T1-GE3CT-ND - Cinta cortada (CT) SI2307BDS-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Fabricante | |
Número de pieza del fabricante | SI2307BDS-T1-GE3 |
Descripción | MOSFET P-CH 30V 2.5A SOT23-3 |
Referencia del cliente | |
Descripción detallada | Canal P Montaje en superficie 30 V 2.5A (Ta) 750mW (Ta) SOT-23-3 (TO-236) |
Hoja de datos | Hoja de datos |
Atributos del producto
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Categoría | Vgs(th) (máx) a Id 3V a 250µA |
Fabricante | Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 15 nC @ 10 V |
Serie | Vgs (máx.) ±20V |
Embalaje Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel® | Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 380 pF @ 15 V |
Estado de pieza Obsoleto | Disipación de potencia (Máx.) 750mW (Ta) |
Tipo FET | Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tecnología | Tipo de montaje Montaje en superficie |
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 30 V | Paquete del dispositivo del proveedor SOT-23-3 (TO-236) |
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC | Paquete / Caja (carcasa) |
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10V | Número de producto base |
Rds On (máx) @ Id, Vgs 78mOhm a 3.2A, 10V |
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Sustitutos (9)
| N.° de pieza | Fabricante | Cantidad disponible | N.º de producto de DigiKey | Precio por unidad | Tipo de reemplazo |
|---|---|---|---|---|---|
| AO3421E | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | 872.460 | 785-1459-1-ND | 0,42000 € | Similar |
| BSS308PEH6327XTSA1 | Infineon Technologies | 7.961 | BSS308PEH6327XTSA1CT-ND | 0,41000 € | Similar |
| DMG2307L-7 | Diodes Incorporated | 50.277 | DMG2307L-7DICT-ND | 0,38000 € | Similar |
| DMP3098L-7 | Diodes Incorporated | 21.264 | DMP3098LDICT-ND | 0,44000 € | Similar |
| DMP3130L-7 | Diodes Incorporated | 2.338 | DMP3130LDICT-ND | 0,52000 € | Similar |
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