Name: SI2301HDS-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SI2301HDS-T1-GE3TR-ND
Price: 0.4114 EUR
Availability: InStock

Nuevo producto

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SI2301HDS-T1-GE3
N.º de producto de DigiKey	742-SI2301HDS-T1-GE3TR-ND - Cinta y rollo (TR) 742-SI2301HDS-T1-GE3CT-ND - Cinta cortada (CT) 742-SI2301HDS-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Vishay Siliconix
Número de pieza del fabricante	SI2301HDS-T1-GE3
Descripción	P-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET
Plazo estándar del fabricante	38 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal P Montaje en superficie 20 V 2.3A (Ta), 3.1A (Tc) 860mW (Ta), 1.6W (Tc) SOT-23-3 (TO-236)
Hoja de datos	Hoja de datos

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Categoría Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET	Rds On (máx) @ Id, Vgs 112mOhm a 2.8A, 4.5V
Fabricante Vishay Siliconix	Vgs(th) (máx) a Id 1V a 250µA
Serie TrenchFET®	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 10 nC @ 4.5 V
Embalaje Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Vgs (máx.) ±8V
Estado de pieza Activo	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 405 pF @ 10 V
Tipo FET Canal P	Disipación de potencia (Máx.) 860mW (Ta), 1.6W (Tc)
Tecnología MOSFET (óxido de metal)	Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 20 V	Tipo de montaje Montaje en superficie
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 2.3A (Ta), 3.1A (Tc)	Paquete del dispositivo del proveedor SOT-23-3 (TO-236)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 2.5V, 4.5V	Paquete / Caja (carcasa) TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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Cinta y rollo (TR)

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