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SI2122DS-T1-GE3 está disponible para la compra, pero no está normalmente en stock.
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Equivalente paramétrico
Nuevo en DigiKey
Foto demostrada es una representación solamente. Datos específicos deben se obtener de las hojas de datos del producto.
SI2122DS-T1-GE3 | |
|---|---|
N.º de producto de DigiKey | 742-SI2122DS-T1-GE3TR-ND - Cinta y rollo (TR) |
Fabricante | |
Número de pieza del fabricante | SI2122DS-T1-GE3 |
Descripción | N-CHANNEL 100-V (D-S) MOSFET |
Plazo estándar del fabricante | 55 semanas |
Referencia del cliente | |
Descripción detallada | Canal N Montaje en superficie 100 V 1.65A (Ta), 2.17A (Tc) 960mW (Ta), 1.6W (Tc) SOT-23-3 (TO-236) |
Hoja de datos | Hoja de datos |
Atributos del producto
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Categoría | Rds On (máx) @ Id, Vgs 160mOhm a 2.5A, 10V |
Fabricante | Vgs(th) (máx) a Id 4V a 250µA |
Serie | Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 6 nC @ 10 V |
Embalaje Cinta y rollo (TR) | Vgs (máx.) ±20V |
Estado de pieza Activo | Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 210 pF @ 50 V |
Tipo FET | Disipación de potencia (Máx.) 960mW (Ta), 1.6W (Tc) |
Tecnología | Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ) |
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 100 V | Tipo de montaje Montaje en superficie |
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC | Paquete del dispositivo del proveedor SOT-23-3 (TO-236) |
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 7.5V, 10V | Paquete / Caja (carcasa) |
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Sustitutos (1)
| N.° de pieza | Fabricante | Cantidad disponible | N.º de producto de DigiKey | Precio por unidad | Tipo de reemplazo |
|---|---|---|---|---|---|
| SI2122DS-T1-BE3 | Vishay Siliconix | 0 | 742-SI2122DS-T1-BE3TR-ND | 0,09084 € | Equivalente paramétrico |
Disponible para órdenes
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Cantidad
Todos los precios se expresan en EUR
Cinta y rollo (TR)
| Cantidad | Precio por unidad | Precio ext. |
|---|---|---|
| 6.000 | 0,13103 € | 786,18 € |
| Precio unitario sin IVA: | 0,13103 € |
|---|---|
| Precio unitario con IVA: | 0,15855 € |
