Name: SI1967DH-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI1967DH-T1-GE3TR-ND
Price: 0.7865 EUR
Availability: InStock

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SI1967DH-T1-GE3
N.º de producto de DigiKey	SI1967DH-T1-GE3TR-ND - Cinta y rollo (TR) SI1967DH-T1-GE3CT-ND - Cinta cortada (CT) SI1967DH-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Vishay Siliconix
Número de pieza del fabricante	SI1967DH-T1-GE3
Descripción	MOSFET 2P-CH 20V 1.3A SC70-6
Plazo estándar del fabricante	17 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	MOSFET - Arreglos 20V 1.3A 1.25W Montaje en superficie SC-70-6
Hoja de datos	Hoja de datos

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Categoría Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET Arreglos FET, MOSFET	Rds On (máx) @ Id, Vgs 490mOhm a 910mA, 4.5V
Fabricante Vishay Siliconix	Vgs(th) (máx) a Id 1V a 250µA
Serie TrenchFET®	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 4nC a 8V
Embalaje Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 110pF a 10V
Estado de pieza Activo	Potencia - Máx. 1.25W
Tecnología MOSFET (óxido de metal)	Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuración Dos canal P (doble)	Tipo de montaje Montaje en superficie
Característica de FET Compuerta de nivel lógico	Paquete / Caja (carcasa) 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 20V	Paquete del dispositivo del proveedor SC-70-6
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 1.3A	Número de producto base SI1967

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Cinta y rollo (TR)