SI1330EDL-T1-GE3 Vishay Siliconix | FET simple, MOSFET

SI1330EDL-T1-GE3
N.º de producto de DigiKey	742-SI1330EDL-T1-GE3TR-ND - Cinta y rollo (TR) 742-SI1330EDL-T1-GE3CT-ND - Cinta cortada (CT)
Fabricante	Vishay Siliconix
Número de pieza del fabricante	SI1330EDL-T1-GE3
Descripción	MOSFET N-CH 60V 240MA SC70-3
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 60 V 240mA (Ta) 280mW (Ta) SC-70-3
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	SI1330EDL-T1-GE3 Modelos

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Vishay Siliconix
Serie	TrenchFET®
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT)
Estado de pieza	Obsoleto
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	60 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	240mA (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	3V, 10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	2.5Ohm a 250mA, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	2.5V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	0.6 nC @ 4.5 V
Vgs (máx.)	±20V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	280mW (Ta)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	SC-70-3
Paquete / Caja (carcasa)	SC-70, SOT-323
Número de producto base	SI1330

SI1330EDL-T1-GE3