SI1012R-T1-GE3 Vishay Siliconix | FET simple, MOSFET

SI1012R-T1-GE3 es obsoleto y ya no se fabrica.

Reemplazos disponibles:

MFR recomendado

Vishay Siliconix

En stock: 60.053

Precio por unidad : 0,42000 €

Foto demostrada es una representación solamente. Datos específicos deben se obtener de las hojas de datos del producto.

SI1012R-T1-GE3
N.º de producto de DigiKey	SI1012R-T1-GE3TR-ND - Cinta y rollo (TR) SI1012R-T1-GE3CT-ND - Cinta cortada (CT) SI1012R-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Vishay Siliconix
Número de pieza del fabricante	SI1012R-T1-GE3
Descripción	MOSFET N-CH 20V 500MA SC75A
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 20 V 500mA (Ta) 150mW (Ta) SC-75A
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	SI1012R-T1-GE3 Modelos

Atributos del producto

Filtrar productos similares

Mostrar atributos vacíos

Categoría Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET	Rds On (máx) @ Id, Vgs 700mOhm a 600mA, 4.5V
Fabricante Vishay Siliconix	Vgs(th) (máx) a Id 900mV a 250µA
Serie TrenchFET®	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 0.75 nC @ 4.5 V
Embalaje Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Vgs (máx.) ±6V
Estado de pieza Obsoleto	Disipación de potencia (Máx.) 150mW (Ta)
Tipo FET Canal N	Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tecnología MOSFET (óxido de metal)	Tipo de montaje Montaje en superficie
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 20 V	Paquete del dispositivo del proveedor SC-75A
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 500mA (Ta)	Paquete / Caja (carcasa) SC-75, SOT-416
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 1.8V, 4.5V	Número de producto base SI1012