Canal N Orificio pasante 60 V 2.5A (Ta) 1.3W (Ta) 4-HVMDIP
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IRLD024PBF

N.º de producto de DigiKey
IRLD024PBF-ND
Fabricante
Número de pieza del fabricante
IRLD024PBF
Descripción
MOSFET N-CH 60V 2.5A 4DIP
Referencia del cliente
Descripción detallada
Canal N Orificio pasante 60 V 2.5A (Ta) 1.3W (Ta) 4-HVMDIP
Hoja de datos
 Hoja de datos
Modelos EDA/CAD
IRLD024PBF Modelos
Atributos del producto
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Categoría
Vgs(th) (máx) a Id
2V a 250µA
Fabricante
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs
18 nC @ 5 V
Embalaje
Tubo
Vgs (máx.)
±10V
Estado de pieza
Obsoleto
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
870 pF @ 25 V
Tipo FET
Disipación de potencia (Máx.)
1.3W (Ta)
Tecnología
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
60 V
Tipo de montaje
Orificio pasante
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC
Paquete del dispositivo del proveedor
4-HVMDIP
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)
4V, 5V
Paquete / Caja (carcasa)
Rds On (máx) @ Id, Vgs
100mOhm a 1.5A, 5V
Número de producto base
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Preguntas y respuestas sobre el producto
Recursos adicionales
Obsoleto
Este producto ya no se fabrica.