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Producto del mercado
Foto demostrada es una representación solamente. Datos específicos deben se obtener de las hojas de datos del producto.
IRLD024PBF | |
|---|---|
N.º de producto de DigiKey | IRLD024PBF-ND |
Fabricante | |
Número de pieza del fabricante | IRLD024PBF |
Descripción | MOSFET N-CH 60V 2.5A 4DIP |
Referencia del cliente | |
Descripción detallada | Canal N Orificio pasante 60 V 2.5A (Ta) 1.3W (Ta) 4-HVMDIP |
Hoja de datos | Hoja de datos |
Modelos EDA/CAD | IRLD024PBF Modelos |
Atributos del producto
Tipo | Descripción | Seleccionar todo |
|---|---|---|
Categoría | ||
Fabricante | ||
Serie | - | |
Embalaje | Tubo | |
Estado de pieza | Obsoleto | |
Tipo FET | ||
Tecnología | ||
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 60 V | |
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC | ||
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) | 4V, 5V | |
Rds On (máx) @ Id, Vgs | 100mOhm a 1.5A, 5V | |
Vgs(th) (máx) a Id | 2V a 250µA | |
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs | 18 nC @ 5 V | |
Vgs (máx.) | ±10V | |
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds | 870 pF @ 25 V | |
Característica de FET | - | |
Disipación de potencia (Máx.) | 1.3W (Ta) | |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
Grado | - | |
Calificación | - | |
Tipo de montaje | Orificio pasante | |
Paquete del dispositivo del proveedor | 4-HVMDIP | |
Paquete / Caja (carcasa) | ||
Número de producto base |
Obsoleto
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España