Name: IRFPG50PBF
Brand: Vishay Siliconix
SKU: IRFPG50PBF-ND
Price: 4.356 EUR
Availability: InStock

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IRFPG50PBF
N.º de producto de DigiKey	IRFPG50PBF-ND
Fabricante	Vishay Siliconix
Número de pieza del fabricante	IRFPG50PBF
Descripción	MOSFET N-CH 1000V 6.1A TO247-3
Plazo estándar del fabricante	15 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Orificio pasante 1000 V 6.1A (Tc) 190W (Tc) TO-247AC
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	IRFPG50PBF Modelos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Vishay Siliconix
Serie	-
Embalaje	Tubo
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	1000 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	6.1A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	2Ohm a 3.6A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	4V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	190 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	2800 pF @ 25 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	190W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor	TO-247AC
Paquete / Caja (carcasa)	TO-247-3
Número de producto base	IRFPG50

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