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Canal N Orificio pasante 900 V 6.7A (Tc) 190W (Tc) TO-247AC
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IRFPF50

N.º de producto de DigiKey
IRFPF50-ND
Fabricante
Vishay Siliconix
Número de pieza del fabricante
IRFPF50
Descripción
MOSFET N-CH 900V 6.7A TO247-3
Referencia del cliente
Descripción detallada
Canal N Orificio pasante 900 V 6.7A (Tc) 190W (Tc) TO-247AC
Hoja de datos
 Hoja de datos
Modelos EDA/CAD
IRFPF50 Modelos
Atributos del producto
Tipo
Descripción
Seleccionar todo
Categoría
Fabricante
Vishay Siliconix
Serie
-
Embalaje
Tubo
Estado de pieza
Activo
Tipo FET
Canal N
Tecnología
MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
900 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC
6.7A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)
10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs
1.6Ohm a 4A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id
4V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs
200 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
2900 pF @ 25 V
Característica de FET
-
Disipación de potencia (Máx.)
190W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado
-
Calificación
-
Tipo de montaje
Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor
TO-247AC
Paquete / Caja (carcasa)
TO-247-3
Número de producto base
IRFPF50
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