Canal N Montaje en superficie 100 V 5.6A (Tc) 3.7W (Ta), 43W (Tc) TO-263 (D2PAK)
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Canal N Montaje en superficie 100 V 5.6A (Tc) 3.7W (Ta), 43W (Tc) TO-263 (D2PAK)
TO-263-3

IRF510SPBF

N.º de producto de DigiKey
IRF510SPBF-ND
Fabricante
Vishay Siliconix
Número de pieza del fabricante
IRF510SPBF
Descripción
MOSFET N-CH 100V 5.6A D2PAK
Plazo estándar del fabricante
15 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada
Canal N Montaje en superficie 100 V 5.6A (Tc) 3.7W (Ta), 43W (Tc) TO-263 (D2PAK)
Hoja de datos
 Hoja de datos
Modelos EDA/CAD
IRF510SPBF Modelos
Atributos del producto
Tipo
Descripción
Seleccionar todo
Categoría
Fabricante
Vishay Siliconix
Serie
-
Embalaje
Tubo
Estado de pieza
Activo
Tipo FET
Canal N
Tecnología
MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
100 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC
5.6A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)
10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs
540mOhm a 3.4A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id
4V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs
8.3 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
180 pF @ 25 V
Característica de FET
-
Disipación de potencia (Máx.)
3.7W (Ta), 43W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado
-
Calificación
-
Tipo de montaje
Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor
TO-263 (D2PAK)
Paquete / Caja (carcasa)
TO-263-3, D2PAK (2 conductores + pestaña), TO-263AB
Número de producto base
IRF510
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Cantidad
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Tubo
Cantidad Precio por unidad Precio ext.
11,74000 €1,74 €
500,83980 €41,99 €
1000,75190 €75,19 €
5000,59762 €298,81 €
1.0000,54800 €548,00 €
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5.0000,46112 €2.305,60 €
10.0000,46026 €4.602,60 €
Paquete estándar del fabricante
Aviso: Debido a los servicios de valor añadido de DigiKey, el tipo de embalaje puede cambiar cuando el producto se adquiere en cantidades inferiores al embalaje estándar.
Precio unitario sin IVA:1,74000 €
Precio unitario con IVA:2,10540 €
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