Equivalente paramétrico
Equivalente paramétrico
Equivalente paramétrico

VS-8DKH02HM3/I | |
|---|---|
N.º de producto de DigiKey | 112-VS-8DKH02HM3/ITR-ND - Cinta y rollo (TR) |
Fabricante | |
Número de pieza del fabricante | VS-8DKH02HM3/I |
Descripción | DIODE ARRAY GP 200V 4A FLATPAK |
Plazo estándar del fabricante | 10 semanas |
Referencia del cliente | |
Descripción detallada | Matriz de diodos 2 independientes 200 V 4A Montaje en superficie 8-PowerTDFN |
Hoja de datos | Hoja de datos |
Categoría | Velocidad Recuperación rápida =< 500ns, > 200mA (Io) |
Fabricante Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Tiempo de recuperación inversa (trr) 25 ns |
Serie | Corriente - Fuga inversa a Vr 2 µA @ 200 V |
Embalaje Cinta y rollo (TR) | Temperatura de funcionamiento: acoplamiento -55°C ~ 175°C |
Estado de pieza Activo | Grado Uso automotriz |
Configuración de diodo 2 independientes | Calificación AEC-Q101 |
Tecnología Estándar | Tipo de montaje Montaje en superficie |
Voltaje - CC inverso (Vr) (Máx.) 200 V | Paquete / Caja (carcasa) 8-PowerTDFN |
Corriente - Promedio rectificado (Io) (por diodo) 4A | Paquete del dispositivo del proveedor FlatPAK 5x6 (doble) |
Voltaje - Directo (Vf) (máx.) a If 960 mV @ 4 A | Número de producto base |
| N.° de pieza | Fabricante | Cantidad disponible | N.º de producto de DigiKey | Precio por unidad | Tipo de reemplazo |
|---|---|---|---|---|---|
| VS-8DKH02-M3/H | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | 1.353 | VS-8DKH02-M3/HGICT-ND | 1,39000 € | Equivalente paramétrico |
| VS-8DKH02-M3/I | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | 0 | 112-VS-8DKH02-M3/ITR-ND | 0,31436 € | Equivalente paramétrico |
| VS-8DKH02HM3/H | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | 0 | VS-8DKH02HM3/HGICT-ND | 1,58000 € | Equivalente paramétrico |
| Cantidad | Precio por unidad | Precio ext. |
|---|---|---|
| 6.000 | 0,36871 € | 2.212,26 € |
| 12.000 | 0,36365 € | 4.363,80 € |
| Precio unitario sin IVA: | 0,36871 € |
|---|---|
| Precio unitario con IVA: | 0,44614 € |


