Equivalente paramétrico
Equivalente paramétrico
Equivalente paramétrico
Equivalente paramétrico

VS-20ETF12STRR-M3 | |
|---|---|
N.º de producto de DigiKey | VS-20ETF12STRR-M3-ND - Cinta y rollo (TR) |
Fabricante | |
Número de pieza del fabricante | VS-20ETF12STRR-M3 |
Descripción | DIODE STANDARD 1200V 20A TO263AB |
Plazo estándar del fabricante | 21 semanas |
Referencia del cliente | |
Descripción detallada | Diodos 1200 V 20A Montaje en superficie TO-263AB (D2PAK) |
Hoja de datos | Hoja de datos |
Categoría | Velocidad Recuperación rápida =< 500ns, > 200mA (Io) |
Fabricante | Tiempo de recuperación inversa (trr) 400 ns |
Embalaje Cinta y rollo (TR) | Corriente - Fuga inversa a Vr 100 µA @ 1200 V |
Estado de pieza Activo | Tipo de montaje |
Tecnología | Paquete / Caja (carcasa) |
Voltaje - CC inverso (Vr) (Máx.) 1200 V | Paquete del dispositivo del proveedor TO-263AB (D2PAK) |
Corriente - Promedio rectificado (Io) 20A | Temperatura de funcionamiento: acoplamiento -40°C ~ 150°C |
Voltaje - Directo (Vf) (máx.) a If 1.31 V @ 20 A | Número de producto base |
| N.° de pieza | Fabricante | Cantidad disponible | N.º de producto de DigiKey | Precio por unidad | Tipo de reemplazo |
|---|---|---|---|---|---|
| VS-20ETF12S-M3 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | 6.580 | 112-VS-20ETF12S-M3-ND | 4,70000 € | Equivalente paramétrico |
| VS-20ETF12SLHM3 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | 1.540 | VS-20ETF12SLHM3GICT-ND | 5,24000 € | Equivalente paramétrico |
| VS-20ETF12SPBF | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | 0 | VS-20ETF12SPBFGI-ND | 0,00000 € | Equivalente paramétrico |
| VS-20ETF12STRL-M3 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | 0 | VS-20ETF12STRL-M3-ND | 1,58554 € | Equivalente paramétrico |
| Cantidad | Precio por unidad | Precio ext. |
|---|---|---|
| 8.000 | 2,06706 € | 16.536,48 € |
| Precio unitario sin IVA: | 2,06706 € |
|---|---|
| Precio unitario con IVA: | 2,50114 € |


