Name: BYG23MHE3_A/I
Brand: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
SKU: 112-BYG23MHE3_A/ITR-ND
Price: 0.8712 EUR
Availability: InStock

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BYG23MHE3_A/I
N.º de producto de DigiKey	112-BYG23MHE3_A/ITR-ND - Cinta y rollo (TR) 112-BYG23MHE3_A/ICT-ND - Cinta cortada (CT) 112-BYG23MHE3_A/IDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Número de pieza del fabricante	BYG23MHE3_A/I
Descripción	DIODE AVALANCHE 1KV 1.5A DO214AC
Plazo estándar del fabricante	10 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Diodos 1000 V 1.5A Montaje en superficie DO-214AC (SMA)
Hoja de datos	Hoja de datos

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Categoría Productos de semiconductores discretos Diodos Rectificadores Diódos simples	Tiempo de recuperación inversa (trr) 75 ns
Fabricante Vishay General Semiconductor - Diodes Division	Corriente - Fuga inversa a Vr 5 µA @ 1000 V
Embalaje Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Grado Uso automotriz
Estado de pieza Activo	Calificación AEC-Q101
Tecnología Avalancha	Tipo de montaje Montaje en superficie
Voltaje - CC inverso (Vr) (Máx.) 1000 V	Paquete / Caja (carcasa) DO-214AC, SMA
Corriente - Promedio rectificado (Io) 1.5A	Paquete del dispositivo del proveedor DO-214AC (SMA)
Voltaje - Directo (Vf) (máx.) a If 1.7 V @ 1 A	Temperatura de funcionamiento: acoplamiento -55°C ~ 150°C
Velocidad Recuperación rápida =< 500ns, > 200mA (Io)	Número de producto base BYG23