TPH3205WSBQA Renesas Electronics Corporation | FET simple, MOSFET

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Renesas Electronics Corporation

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TPH3205WSBQA
N.º de producto de DigiKey	TPH3205WSBQA-ND
Fabricante	Renesas Electronics Corporation
Número de pieza del fabricante	TPH3205WSBQA
Descripción	GANFET N-CH 650V 35A TO247-3
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Orificio pasante 650 V 35A (Tc) 125W (Tc) TO-247-3
Hoja de datos	Hoja de datos

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Categoría Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 42 nC @ 8 V
Fabricante Renesas Electronics Corporation	Vgs (máx.) ±18V
Embalaje Tubo	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 2200 pF @ 400 V
Estado de pieza Obsoleto	Disipación de potencia (Máx.) 125W (Tc)
Tipo FET Canal N	Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tecnología GaNFET (Nitrito de galio)	Grado Uso automotriz
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 650 V	Calificación AEC-Q101
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 35A (Tc)	Tipo de montaje Orificio pasante
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10V	Paquete del dispositivo del proveedor TO-247-3
Rds On (máx) @ Id, Vgs 62mOhm a 22A, 8V	Paquete / Caja (carcasa) TO-247-3
Vgs(th) (máx) a Id 2.6V a 700µA	Número de producto base TPH3205