Name: XPQR8308QB,LXHQ
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-XPQR8308QBLXHQTR-ND
Price: 6.413 EUR
Availability: InStock

Canal N Montaje en superficie 80 V 350A (Ta) 750W (Tc) L-TOGL™

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XPQR8308QB,LXHQ
N.º de producto de DigiKey	264-XPQR8308QBLXHQTR-ND - Cinta y rollo (TR) 264-XPQR8308QB,LXHQCT-ND - Cinta cortada (CT) 264-XPQR8308QB,LXHQDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Número de pieza del fabricante	XPQR8308QB,LXHQ
Descripción	80V UMOS10 L-TOGL 0.83MOHM
Plazo estándar del fabricante	16 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 80 V 350A (Ta) 750W (Tc) L-TOGL™
Hoja de datos	Hoja de datos

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Categoría Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET	Vgs(th) (máx) a Id 3.5V a 3.2mA
Fabricante Toshiba Semiconductor and Storage	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 305 nC @ 10 V
Serie U-MOSX-H	Vgs (máx.) ±20V
Embalaje Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 24700 pF @ 10 V
Estado de pieza Activo	Disipación de potencia (Máx.) 750W (Tc)
Tipo FET Canal N	Temperatura de funcionamiento 175°C
Tecnología MOSFET (óxido de metal)	Grado Uso automotriz
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 80 V	Calificación AEC-Q101
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 350A (Ta)	Tipo de montaje Montaje en superficie
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 6V, 10V	Paquete del dispositivo del proveedor L-TOGL™
Rds On (máx) @ Id, Vgs 0.83mOhm a 175A, 10V	Paquete / Caja (carcasa) 8-PowerBSFN