Name: XPQ1R004PB,LXHQ
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-XPQ1R004PBLXHQTR-ND
Price: 3.993 EUR
Availability: InStock

Canal N Montaje en superficie 40 V 200A (Ta) 230W (Tc) L-TOGL™

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XPQ1R004PB,LXHQ
N.º de producto de DigiKey	264-XPQ1R004PBLXHQTR-ND - Cinta y rollo (TR) 264-XPQ1R004PBLXHQCT-ND - Cinta cortada (CT) 264-XPQ1R004PBLXHQDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Número de pieza del fabricante	XPQ1R004PB,LXHQ
Descripción	40V U-MOS IX-H L-TOGL 1.0MOHM
Plazo estándar del fabricante	16 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 40 V 200A (Ta) 230W (Tc) L-TOGL™
Hoja de datos	Hoja de datos

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Categoría Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 84 nC @ 10 V
Fabricante Toshiba Semiconductor and Storage	Vgs (máx.) ±20V
Serie U-MOSIX-H	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 6890 pF @ 10 V
Embalaje Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Disipación de potencia (Máx.) 230W (Tc)
Estado de pieza Activo	Temperatura de funcionamiento 175°C
Tipo FET Canal N	Grado Uso automotriz
Tecnología MOSFET (óxido de metal)	Calificación AEC-Q101
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 40 V	Tipo de montaje Montaje en superficie
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 200A (Ta)	Paquete del dispositivo del proveedor L-TOGL™
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 6V, 10V	Paquete / Caja (carcasa) 8-PowerBSFN
Rds On (máx) @ Id, Vgs 1mOhm a 100A, 10V	Número de producto base XPQ1R004
Vgs(th) (máx) a Id 3V a 500µA