Name: XPN6R706NC,L1XHQ
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-XPN6R706NCL1XHQTR-ND
Price: 1.5367 EUR
Availability: InStock

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XPN6R706NC,L1XHQ
N.º de producto de DigiKey	264-XPN6R706NCL1XHQTR-ND - Cinta y rollo (TR) 264-XPN6R706NCL1XHQCT-ND - Cinta cortada (CT) 264-XPN6R706NCL1XHQDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Número de pieza del fabricante	XPN6R706NC,L1XHQ
Descripción	MOSFET N-CH 60V 40A 8TSON
Plazo estándar del fabricante	16 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 60 V 40A (Ta) 840mW (Ta), 100W (Tc) 8-TSON avanzado-WF (3.1x3.1)
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	XPN6R706NC,L1XHQ Modelos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Serie	U-MOSVIII-H
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	60 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	40A (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	4.5V, 10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	6.7mOhm a 20A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	2.5V a 300µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	35 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	2000 pF @ 10 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	840mW (Ta), 100W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	175°C
Grado	Uso automotriz
Calificación	AEC-Q101
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	8-TSON avanzado-WF (3.1x3.1)
Paquete / Caja (carcasa)	8-PowerVDFN
Número de producto base	XPN6R706