Name: XPJR6604PB,LXHQ
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-XPJR6604PBLXHQTR-ND
Price: 2.5652 EUR
Availability: InStock

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XPJR6604PB,LXHQ
N.º de producto de DigiKey	264-XPJR6604PBLXHQTR-ND - Cinta y rollo (TR) 264-XPJR6604PBLXHQCT-ND - Cinta cortada (CT) 264-XPJR6604PBLXHQDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Número de pieza del fabricante	XPJR6604PB,LXHQ
Descripción	40V; UMOS9; 0.66MOHM; S-TOGL
Plazo estándar del fabricante	16 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 40 V 200A (Ta) 375W (Tc) S-TOGL™
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	XPJR6604PB,LXHQ Modelos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Serie	U-MOSIX-H
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	40 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	200A (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	6V, 10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	0.66mOhm a 100A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	3V a 1mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	128 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	11380 pF @ 10 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	375W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	175°C
Grado	Uso automotriz
Calificación	AEC-Q101
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	S-TOGL™
Paquete / Caja (carcasa)	5-PowerSFN