Name: XPJR6604PB,LXHQ
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-XPJR6604PBLXHQTR-ND
Price: 2.6136 EUR
Availability: InStock

Canal N Montaje en superficie 40 V 200A (Ta) 375W (Tc) S-TOGL™

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XPJR6604PB,LXHQ
N.º de producto de DigiKey	264-XPJR6604PBLXHQTR-ND - Cinta y rollo (TR) 264-XPJR6604PBLXHQCT-ND - Cinta cortada (CT) 264-XPJR6604PBLXHQDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Número de pieza del fabricante	XPJR6604PB,LXHQ
Descripción	40V; UMOS9; 0.66MOHM; S-TOGL
Plazo estándar del fabricante	16 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 40 V 200A (Ta) 375W (Tc) S-TOGL™
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	XPJR6604PB,LXHQ Modelos

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Categoría Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET	Vgs(th) (máx) a Id 3V a 1mA
Fabricante Toshiba Semiconductor and Storage	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 128 nC @ 10 V
Serie U-MOSIX-H	Vgs (máx.) ±20V
Embalaje Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 11380 pF @ 10 V
Estado de pieza Activo	Disipación de potencia (Máx.) 375W (Tc)
Tipo FET Canal N	Temperatura de funcionamiento 175°C
Tecnología MOSFET (óxido de metal)	Grado Uso automotriz
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 40 V	Calificación AEC-Q101
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 200A (Ta)	Tipo de montaje Montaje en superficie
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 6V, 10V	Paquete del dispositivo del proveedor S-TOGL™
Rds On (máx) @ Id, Vgs 0.66mOhm a 100A, 10V	Paquete / Caja (carcasa) 5-PowerSFN