Name: XPH6R30ANB,L1XHQ
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-XPH6R30ANBL1XHQTR-ND
Price: 2.057 EUR
Availability: InStock

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XPH6R30ANB,L1XHQ
N.º de producto de DigiKey	264-XPH6R30ANBL1XHQTR-ND - Cinta y rollo (TR) 264-XPH6R30ANBL1XHQCT-ND - Cinta cortada (CT) 264-XPH6R30ANBL1XHQDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Número de pieza del fabricante	XPH6R30ANB,L1XHQ
Descripción	MOSFET N-CH 100V 45A 8SOP
Plazo estándar del fabricante	16 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 100 V 45A (Ta) 960mW (Ta), 132W (Tc) 8-SOP avanzado (5x5)
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	XPH6R30ANB,L1XHQ Modelos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Serie	U-MOSVIII-H
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	100 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	45A (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	6V, 10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	6.3mOhm a 22.5A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	3.5V a 500µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	52 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	3240 pF @ 10 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	960mW (Ta), 132W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	175°C
Grado	Uso automotriz
Calificación	AEC-Q101
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	8-SOP avanzado (5x5)
Paquete / Caja (carcasa)	8-PowerVDFN
Número de producto base	XPH6R30