Name: XPH2R106NC,L1XHQ
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-XPH2R106NCL1XHQTR-ND
Price: 3.1823 EUR
Availability: OutOfStock

Canal N Montaje en superficie 60 V 110A (Ta) 960mW (Ta), 170W (Tc) 8-SOP avanzado (5x5)

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XPH2R106NC,L1XHQ
N.º de producto de DigiKey	264-XPH2R106NCL1XHQTR-ND - Cinta y rollo (TR) 264-XPH2R106NCL1XHQCT-ND - Cinta cortada (CT) 264-XPH2R106NCL1XHQDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Número de pieza del fabricante	XPH2R106NC,L1XHQ
Descripción	MOSFET N-CH 60V 110A 8SOP
Plazo estándar del fabricante	32 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 60 V 110A (Ta) 960mW (Ta), 170W (Tc) 8-SOP avanzado (5x5)
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	XPH2R106NC,L1XHQ Modelos

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Categoría Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 104 nC @ 10 V
Fabricante Toshiba Semiconductor and Storage	Vgs (máx.) ±20V
Serie U-MOSVIII-H	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 6900 pF @ 10 V
Embalaje Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Disipación de potencia (Máx.) 960mW (Ta), 170W (Tc)
Estado de pieza Activo	Temperatura de funcionamiento 175°C
Tipo FET Canal N	Grado Uso automotriz
Tecnología MOSFET (óxido de metal)	Calificación AEC-Q101
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 60 V	Tipo de montaje Montaje en superficie
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 110A (Ta)	Paquete del dispositivo del proveedor 8-SOP avanzado (5x5)
Rds On (máx) @ Id, Vgs 2.1mOhm a 55A, 10V	Paquete / Caja (carcasa) 8-PowerVDFN
Vgs(th) (máx) a Id 2.5V a 1mA	Número de producto base XPH2R106