Name: XK1R9F10QB,LXGQ
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-XK1R9F10QBLXGQTR-ND
Price: 5.0578 EUR
Availability: InStock

Canal N Montaje en superficie 100 V 160A (Ta) 375W (Tc) TO-220SM(W)

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XK1R9F10QB,LXGQ
N.º de producto de DigiKey	264-XK1R9F10QBLXGQTR-ND - Cinta y rollo (TR) 264-XK1R9F10QBLXGQCT-ND - Cinta cortada (CT) 264-XK1R9F10QBLXGQDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Número de pieza del fabricante	XK1R9F10QB,LXGQ
Descripción	MOSFET N-CH 100V 160A TO220SM
Plazo estándar del fabricante	32 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 100 V 160A (Ta) 375W (Tc) TO-220SM(W)
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	XK1R9F10QB,LXGQ Modelos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Serie	U-MOSX-H
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	100 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	160A (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	6V, 10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	1.92mOhm a 80A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	3.5V a 1mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	184 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	11500 pF @ 10 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	375W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	175°C
Grado	Uso automotriz
Calificación	AEC-Q101
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	TO-220SM(W)
Paquete / Caja (carcasa)	TO-263-3, D2PAK (2 conductores + pestaña), TO-263AB
Número de producto base	XK1R9F10