Name: TRS6V65H,LQ
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-TRS6V65H,LQTR-ND
Price: 4.0898 EUR
Availability: InStock

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TRS6V65H,LQ
N.º de producto de DigiKey	264-TRS6V65H,LQTR-ND - Cinta y rollo (TR) 264-TRS6V65H,LQCT-ND - Cinta cortada (CT) 264-TRS6V65H,LQDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Número de pieza del fabricante	TRS6V65H,LQ
Descripción	DIODE SIL CARBIDE 650V 6A 4DFNEP
Plazo estándar del fabricante	24 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Diodos 650 V 6A Montaje en superficie 4-DFN-EP (8x8)
Hoja de datos	Hoja de datos

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Categoría Productos de semiconductores discretos Diodos Rectificadores Diódos simples	Velocidad Tiempo de recuperación cero > 500mA (Io)
Fabricante Toshiba Semiconductor and Storage	Tiempo de recuperación inversa (trr) 0 ns
Embalaje Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Corriente - Fuga inversa a Vr 70 µA @ 650 V
Estado de pieza Activo	Capacitancia según Vr, F 392pF a 1V, 1MHz
Tecnología SiC (carburo de silicio) Schottky	Tipo de montaje Montaje en superficie
Voltaje - CC inverso (Vr) (Máx.) 650 V	Paquete / Caja (carcasa) Placa descubierta 4-VSFN
Corriente - Promedio rectificado (Io) 6A	Paquete del dispositivo del proveedor 4-DFN-EP (8x8)
Voltaje - Directo (Vf) (máx.) a If 1.35 V @ 6 A	Temperatura de funcionamiento: acoplamiento 175°C

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Documentos y medios

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Recursos adicionales

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Cantidad

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Cinta cortada (CT) & Digi-Reel®

*Todos los pedidos de Digi-Reel añadirán una cuota de carrete de 5,50 €.

Cinta y rollo (TR)

Cantidad	Precio por unidad	Precio ext.
2.500	1,07454 €	2.686,35 €
5.000	1,03050 €	5.152,50 €

Paquete estándar del fabricante

Precio unitario sin IVA:	3,38000 €
Precio unitario con IVA:	4,08980 €

TRS6V65H,LQ