Name: TRS40H120H,S1Q
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-TRS40H120HS1Q-ND
Price: 21.2718 EUR
Availability: InStock

Diodos 1200 V 102A Orificio pasante TO-247-2L

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TRS40H120H,S1Q
N.º de producto de DigiKey	264-TRS40H120HS1Q-ND
Fabricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Número de pieza del fabricante	TRS40H120H,S1Q
Descripción	1200 V/40 A SIC SCHOTTKY BARRIER
Plazo estándar del fabricante	24 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Diodos 1200 V 102A Orificio pasante TO-247-2L
Hoja de datos	Hoja de datos

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Categoría Productos de semiconductores discretos Diodos Rectificadores Diódos simples	Velocidad Tiempo de recuperación cero > 500mA (Io)
Fabricante Toshiba Semiconductor and Storage	Tiempo de recuperación inversa (trr) 0 ns
Embalaje Tubo	Corriente - Fuga inversa a Vr 230 µA @ 1.2 kV
Estado de pieza Activo	Capacitancia según Vr, F 4368pF a 1V, 1MHz
Tecnología SiC (carburo de silicio) Schottky	Tipo de montaje Orificio pasante
Voltaje - CC inverso (Vr) (Máx.) 1200 V	Paquete / Caja (carcasa) TO-247-2
Corriente - Promedio rectificado (Io) 102A	Paquete del dispositivo del proveedor TO-247-2L
Voltaje - Directo (Vf) (máx.) a If 1.45 V @ 40 A	Temperatura de funcionamiento: acoplamiento 175°C

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Documentos y medios

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Recursos adicionales

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Cantidad

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Tubo

Cantidad	Precio por unidad	Precio ext.
1	17,58000 €	17,58 €
30	11,00800 €	330,24 €
120	9,56867 €	1.148,24 €
510	9,08861 €	4.635,19 €

Paquete estándar del fabricante

Aviso: Debido a los servicios de valor añadido de DigiKey, el tipo de embalaje puede cambiar cuando el producto se adquiere en cantidades inferiores al embalaje estándar.