Name: TRS10V65H,LQ
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-TRS10V65H,LQTR-ND
Price: 5.2151 EUR
Availability: InStock

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TRS10V65H,LQ
N.º de producto de DigiKey	264-TRS10V65H,LQTR-ND - Cinta y rollo (TR) 264-TRS10V65H,LQCT-ND - Cinta cortada (CT) 264-TRS10V65H,LQDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Número de pieza del fabricante	TRS10V65H,LQ
Descripción	DIODE SIL CARB 650V 10A 4DFNEP
Plazo estándar del fabricante	24 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Diodos 650 V 10A Montaje en superficie 4-DFN-EP (8x8)
Hoja de datos	Hoja de datos

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Categoría Productos de semiconductores discretos Diodos Rectificadores Diódos simples	Velocidad Tiempo de recuperación cero > 500mA (Io)
Fabricante Toshiba Semiconductor and Storage	Tiempo de recuperación inversa (trr) 0 ns
Embalaje Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Corriente - Fuga inversa a Vr 100 µA @ 650 V
Estado de pieza Activo	Capacitancia según Vr, F 649pF a 1V, 1MHz
Tecnología SiC (carburo de silicio) Schottky	Tipo de montaje Montaje en superficie
Voltaje - CC inverso (Vr) (Máx.) 650 V	Paquete / Caja (carcasa) Placa descubierta 4-VSFN
Corriente - Promedio rectificado (Io) 10A	Paquete del dispositivo del proveedor 4-DFN-EP (8x8)
Voltaje - Directo (Vf) (máx.) a If 1.35 V @ 10 A	Temperatura de funcionamiento: acoplamiento 175°C