Name: TPWR8503NL,L1Q
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: TPWR8503NLL1QTR-ND
Price: 3.8115 EUR
Availability: InStock

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TPWR8503NL,L1Q
N.º de producto de DigiKey	TPWR8503NLL1QTR-ND - Cinta y rollo (TR) TPWR8503NLL1QCT-ND - Cinta cortada (CT) TPWR8503NLL1QDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Número de pieza del fabricante	TPWR8503NL,L1Q
Descripción	MOSFET N-CH 30V 150A 8DSOP
Plazo estándar del fabricante	16 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 30 V 150A (Tc) 800mW (Ta), 142W (Tc) 8-DSOP avanzado
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	TPWR8503NL,L1Q Modelos

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Categoría Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET	Vgs(th) (máx) a Id 2.3V a 1mA
Fabricante Toshiba Semiconductor and Storage	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 74 nC @ 10 V
Serie U-MOSVIII-H	Vgs (máx.) ±20V
Embalaje Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 6900 pF @ 15 V
Estado de pieza Activo	Disipación de potencia (Máx.) 800mW (Ta), 142W (Tc)
Tipo FET Canal N	Temperatura de funcionamiento 150°C (TJ)
Tecnología MOSFET (óxido de metal)	Tipo de montaje Montaje en superficie
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 30 V	Paquete del dispositivo del proveedor 8-DSOP avanzado
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 150A (Tc)	Paquete / Caja (carcasa) 8-PowerVDFN
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 4.5V, 10V	Número de producto base TPWR8503
Rds On (máx) @ Id, Vgs 0.85mOhm a 50A, 10V

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Documentos y medios

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Recursos adicionales

En stock: 2.953

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Cantidad

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Cinta cortada (CT) & Digi-Reel®

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Cinta y rollo (TR)

Cantidad	Precio por unidad	Precio ext.
5.000	0,94658 €	4.732,90 €

Paquete estándar del fabricante

Precio unitario sin IVA:	3,15000 €
Precio unitario con IVA:	3,81150 €

TPWR8503NL,L1Q