Name: TPN7R506NH,L1Q
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: TPN7R506NHL1QTR-ND
Price: 1.7061 EUR
Availability: InStock

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TPN7R506NH,L1Q
N.º de producto de DigiKey	TPN7R506NHL1QTR-ND - Cinta y rollo (TR) TPN7R506NHL1QCT-ND - Cinta cortada (CT) TPN7R506NHL1QDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Número de pieza del fabricante	TPN7R506NH,L1Q
Descripción	MOSFET N-CH 60V 26A 8TSON
Plazo estándar del fabricante	16 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 60 V 26A (Tc) 700mW (Ta), 42W (Tc) 8-TSON avanzado (3.1x3.1)
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	TPN7R506NH,L1Q Modelos

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Categoría Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET	Vgs(th) (máx) a Id 4V a 200µA
Fabricante Toshiba Semiconductor and Storage	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 22 nC @ 10 V
Serie U-MOSVIII-H	Vgs (máx.) ±20V
Embalaje Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 1800 pF @ 30 V
Estado de pieza Activo	Disipación de potencia (Máx.) 700mW (Ta), 42W (Tc)
Tipo FET Canal N	Temperatura de funcionamiento 150°C (TJ)
Tecnología MOSFET (óxido de metal)	Tipo de montaje Montaje en superficie
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 60 V	Paquete del dispositivo del proveedor 8-TSON avanzado (3.1x3.1)
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 26A (Tc)	Paquete / Caja (carcasa) 8-PowerVDFN
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 6.5V, 10V	Número de producto base TPN7R506
Rds On (máx) @ Id, Vgs 7.5mOhm a 13A, 10V

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Documentos y medios

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Cantidad

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Cinta cortada (CT) & Digi-Reel®

*Todos los pedidos de Digi-Reel añadirán una cuota de carrete de 5,50 €.

Cinta y rollo (TR)

Paquete estándar del fabricante

Precio unitario sin IVA:	1,41000 €
Precio unitario con IVA:	1,70610 €

TPN7R506NH,L1Q