Name: TPN4R712MD,L1Q
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: TPN4R712MDL1QTR-ND
Price: 1.3552 EUR
Availability: InStock

Foto demostrada es una representación solamente. Datos específicos deben se obtener de las hojas de datos del producto.

TPN4R712MD,L1Q
N.º de producto de DigiKey	TPN4R712MDL1QTR-ND - Cinta y rollo (TR) TPN4R712MDL1QCT-ND - Cinta cortada (CT) TPN4R712MDL1QDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Número de pieza del fabricante	TPN4R712MD,L1Q
Descripción	MOSFET P-CH 20V 36A 8TSON
Plazo estándar del fabricante	16 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal P Montaje en superficie 20 V 36A (Tc) 42W (Tc) 8-TSON avanzado (3.1x3.1)
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	TPN4R712MD,L1Q Modelos

Atributos del producto

Filtrar productos similares

Mostrar atributos vacíos

Categoría Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET	Vgs(th) (máx) a Id 1.2V a 1mA
Fabricante Toshiba Semiconductor and Storage	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 65 nC @ 5 V
Serie U-MOSVI	Vgs (máx.) ±12V
Embalaje Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 4300 pF @ 10 V
Estado de pieza Activo	Disipación de potencia (Máx.) 42W (Tc)
Tipo FET Canal P	Temperatura de funcionamiento 150°C (TJ)
Tecnología MOSFET (óxido de metal)	Tipo de montaje Montaje en superficie
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 20 V	Paquete del dispositivo del proveedor 8-TSON avanzado (3.1x3.1)
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 36A (Tc)	Paquete / Caja (carcasa) 8-PowerVDFN
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 2.5V, 4.5V	Número de producto base TPN4R712
Rds On (máx) @ Id, Vgs 4.7mOhm a 18A, 4.5V