Name: TPN2R805PL,L1Q
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-TPN2R805PL,L1QTR-ND
Price: 1.3915 EUR
Availability: InStock

Foto demostrada es una representación solamente. Datos específicos deben se obtener de las hojas de datos del producto.

TPN2R805PL,L1Q
N.º de producto de DigiKey	264-TPN2R805PL,L1QTR-ND - Cinta y rollo (TR) 264-TPN2R805PL,L1QCT-ND - Cinta cortada (CT) 264-TPN2R805PL,L1QDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Número de pieza del fabricante	TPN2R805PL,L1Q
Descripción	MOSFET N-CH 45V 80A 8TSON
Plazo estándar del fabricante	16 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 45 V 80A (Tc) 2.67W (Ta), 104W (Tc) 8-TSON avanzado (3.1x3.1)
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	TPN2R805PL,L1Q Modelos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Serie	U-MOSIX-H
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	45 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	80A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	4.5V, 10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	2.8mOhm a 40A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	2.4V a 300µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	39 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	3200 pF @ 22.5 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	2.67W (Ta), 104W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	175°C
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	8-TSON avanzado (3.1x3.1)
Paquete / Caja (carcasa)	8-PowerVDFN
Número de producto base	TPN2R805