Name: TPN2010FNH,L1Q
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: TPN2010FNHL1QTR-ND
Price: 2.5047 EUR
Availability: OutOfStock

TPN2010FNH,L1Q
N.º de producto de DigiKey	TPN2010FNHL1QTR-ND - Cinta y rollo (TR) TPN2010FNHL1QCT-ND - Cinta cortada (CT) TPN2010FNHL1QDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Número de pieza del fabricante	TPN2010FNH,L1Q
Descripción	MOSFET N-CH 250V 5.6A 8TSON
Plazo estándar del fabricante	16 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 250 V 5.6A (Ta) 700mW (Ta), 39W (Tc) 8-TSON avanzado (3.1x3.1)
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	TPN2010FNH,L1Q Modelos

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Serie	U-MOSVIII-H
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	250 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	5.6A (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	198mOhm a 2.8A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	4V a 200µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	7 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	600 pF @ 100 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	700mW (Ta), 39W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	150°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	8-TSON avanzado (3.1x3.1)
Paquete / Caja (carcasa)	8-PowerVDFN
Número de producto base	TPN2010

Cantidad	Precio por unidad	Precio ext.
5.000	0,55970 €	2.798,50 €
10.000	0,53225 €	5.322,50 €

Precio unitario sin IVA:	2,07000 €
Precio unitario con IVA:	2,50470 €

TPN2010FNH,L1Q