Name: TPN19008QM,LQ
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-TPN19008QMLQTR-ND
Price: 1.3552 EUR
Availability: InStock

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TPN19008QM,LQ
N.º de producto de DigiKey	264-TPN19008QMLQTR-ND - Cinta y rollo (TR) 264-TPN19008QMLQCT-ND - Cinta cortada (CT) 264-TPN19008QMLQDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Número de pieza del fabricante	TPN19008QM,LQ
Descripción	MOSFET N-CH 80V 34A 8TSON
Plazo estándar del fabricante	16 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 80 V 34A (Tc) 630mW (Ta), 57W (Tc) 8-TSON avanzado (3.1x3.1)
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	TPN19008QM,LQ Modelos

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Categoría Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET	Vgs(th) (máx) a Id 3.5V a 200µA
Fabricante Toshiba Semiconductor and Storage	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 16 nC @ 10 V
Serie U-MOSX-H	Vgs (máx.) ±20V
Embalaje Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 1400 pF @ 40 V
Estado de pieza Activo	Disipación de potencia (Máx.) 630mW (Ta), 57W (Tc)
Tipo FET Canal N	Temperatura de funcionamiento 175°C
Tecnología MOSFET (óxido de metal)	Tipo de montaje Montaje en superficie
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 80 V	Paquete del dispositivo del proveedor 8-TSON avanzado (3.1x3.1)
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 34A (Tc)	Paquete / Caja (carcasa) 8-PowerVDFN
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 6V, 10V	Número de producto base TPN19008
Rds On (máx) @ Id, Vgs 19mOhm a 17A, 10V

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Documentos y medios

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Cantidad

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Cinta cortada (CT) & Digi-Reel®

*Todos los pedidos de Digi-Reel añadirán una cuota de carrete de 5,50 €.

Cinta y rollo (TR)

Paquete estándar del fabricante

Precio unitario sin IVA:	1,12000 €
Precio unitario con IVA:	1,35520 €

TPN19008QM,LQ