Name: TPN1110ENH,L1Q
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: TPN1110ENHL1QTR-ND
Price: 2.1296 EUR
Availability: InStock

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TPN1110ENH,L1Q
N.º de producto de DigiKey	TPN1110ENHL1QTR-ND - Cinta y rollo (TR) TPN1110ENHL1QCT-ND - Cinta cortada (CT) TPN1110ENHL1QDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Número de pieza del fabricante	TPN1110ENH,L1Q
Descripción	MOSFET N-CH 200V 7.2A 8TSON
Plazo estándar del fabricante	16 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 200 V 7.2A (Ta) 700mW (Ta), 39W (Tc) 8-TSON avanzado (3.1x3.1)
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	TPN1110ENH,L1Q Modelos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Serie	U-MOSVIII-H
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	200 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	7.2A (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	114mOhm a 3.6A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	4V a 200µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	7 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	600 pF @ 100 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	700mW (Ta), 39W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	150°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	8-TSON avanzado (3.1x3.1)
Paquete / Caja (carcasa)	8-PowerVDFN
Número de producto base	TPN1110