Name: TPH8R80ANH,L1Q
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: TPH8R80ANHL1QTR-ND
Price: 2.7588 EUR
Availability: InStock

TPH8R80ANH,L1Q
N.º de producto de DigiKey	TPH8R80ANHL1QTR-ND - Cinta y rollo (TR) TPH8R80ANHL1QCT-ND - Cinta cortada (CT) TPH8R80ANHL1QDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Número de pieza del fabricante	TPH8R80ANH,L1Q
Descripción	MOSFET N CH 100V 32A 8-SOP
Plazo estándar del fabricante	16 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 100 V 32A (Tc) 1.6W (Ta), 61W (Tc) 8-SOP avanzado (5x5)
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	TPH8R80ANH,L1Q Modelos

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Serie	U-MOSVIII-H
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	100 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	32A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	8.8mOhm a 16A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	4V a 500µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	33 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	2800 pF @ 50 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	1.6W (Ta), 61W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	150°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	8-SOP avanzado (5x5)
Paquete / Caja (carcasa)	8-PowerVDFN
Número de producto base	TPH8R80

Cantidad	Precio por unidad	Precio ext.
5.000	0,62876 €	3.143,80 €
10.000	0,60768 €	6.076,80 €

Precio unitario sin IVA:	2,28000 €
Precio unitario con IVA:	2,75880 €

TPH8R80ANH,L1Q