Name: TPH2R408QM,L1Q
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-TPH2R408QML1QTR-ND
Price: 2.662 EUR
Availability: InStock

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TPH2R408QM,L1Q
N.º de producto de DigiKey	264-TPH2R408QML1QTR-ND - Cinta y rollo (TR) 264-TPH2R408QML1QCT-ND - Cinta cortada (CT) 264-TPH2R408QML1QDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Número de pieza del fabricante	TPH2R408QM,L1Q
Descripción	MOSFET N-CH 80V 120A 8SOP
Plazo estándar del fabricante	16 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 80 V 120A (Tc) 3W (Ta), 210W (Tc) 8-SOP avanzado (5x5)
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	TPH2R408QM,L1Q Modelos

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Categoría Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET	Vgs(th) (máx) a Id 3.5V a 1mA
Fabricante Toshiba Semiconductor and Storage	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 87 nC @ 10 V
Serie U-MOSX-H	Vgs (máx.) ±20V
Embalaje Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 8300 pF @ 40 V
Estado de pieza Activo	Disipación de potencia (Máx.) 3W (Ta), 210W (Tc)
Tipo FET Canal N	Temperatura de funcionamiento 175°C
Tecnología MOSFET (óxido de metal)	Tipo de montaje Montaje en superficie
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 80 V	Paquete del dispositivo del proveedor 8-SOP avanzado (5x5)
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 120A (Tc)	Paquete / Caja (carcasa) 8-PowerVDFN
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 6V, 10V	Número de producto base TPH2R408
Rds On (máx) @ Id, Vgs 2.43mOhm a 50A, 10V